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SiC SBD
SiC SBD
SiC MOSFET
产品介绍
SiC SBD
SiC MOSFET
碳化硅肖特基二极管
SiC SBD
特点:
· 高浪涌，低VF
· 高速、寄生电容小
· 零反向恢复
· 高工作结温
应用:
· 光伏逆变器
· UPS 电源
· 电机驱动
· 高压 DC/DC 变换器
· 开关电源
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金属-氧化物半导体场效应晶体管
SiC MOSFET
特点:
· 高压、低导通电阻
· 高速、寄生电容小
· 高工作结温
· 快速恢复体二极管
· 开尔文连接驱动
应用:
· 光伏逆变器
· UPS 电源
· 电机驱动
· 高压 DC/DC 变换器
· 开关电源
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技术服务
清纯半导体拥有国际领先水平的SiC器件设计及工艺研发团队，团队核心从事SiC半导体技术20余年，研发和产业化多代SiC功率器件，包括SiC二极管和MOSFET，并先后通过工业级及车规级测试。
订制半导体芯片
清纯半导体具有独立自主知识产权的芯片设计能力以及工艺技术能力，可以根据用户的要求，为用户提供具有特殊要求的芯片定制。包括但不限于芯片尺寸、导通电阻、阈值电压、栅极电荷、金属镀层等。
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项目合作
清纯半导体坚持以市场为导向，以客户为中心;以诚信、专业、创新、共赢为理念; 用高质量的产品和服务为客户发展贡献力量。
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关于我们
清纯半导体(宁波)有限公司
清纯半导体(宁波)有限公司(以下简称“清纯半导体”)是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，专业从事SiC功率器件的研发与产业化。2021年3月成立于上海市宝山区。清纯半导体拥有国际领先水平的SiC器件设计及工艺研发团队，团队核心从事SiC半导体技术20余年，研发和产业化多代SiC功率器件，包括SiC二极管和MOSFET，并先后通过工业级及车规级测试。
清纯半导体设计和量产的1200V SiC二极管和MOSFET性能已经处于国际领先水平，广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域，更完备的产品型号将陆续推出。
清纯半导体坚持以市场为导向，以客户为中心;以诚信、专业、创新、共赢为理念; 用高质量的产品和服务为客户发展贡献力量。
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新闻资讯
公司动态
行业信息
喜讯！清纯半导体SiC MOSFET获得AEC-Q101车规认证 并通过HV-H3TRB加严可靠性考核
2022年9月29日我司1200V 75 mΩ SiC MOSFET成功通过国内第三方可靠性验证，荣获全套AEC-Q101车规级认证并通过高压960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核。据我司所知，这是国内首次SiC MOSFET产品能够同时通过AEC-Q101车规认证和HV-H3TRB双重考核的公开报道。
2022-10-01
国内最低导通电阻SiC MOSFET通过车企和Tier1厂商测试
近日，清纯半导体推出了1200V/14mΩ SiC MOSFET 产品-S1M014120H，并通过了车企和tier1厂商的测试。S1M014120H具有业界领先的低导通电阻，其静态导通特性和动态开关特性均达到了国际一流水平，可应用于新能源汽车电机控制器、大功率充电模块、光伏逆变器以及大功率储能等领域，S1M014120H的推出填补了国内在该领域的产品空白。
2022-08-22
重磅：清纯半导体推出首款国内量产15V驱动SiC Mosfet 国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平
国内头部碳化硅器件研发企业「清纯半导体」日前宣布发布首款国内量产15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品，填补了国内15V驱动SiC Mosfet产品空白，使得国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。首款1200V 75mΩ SiC  Mosfet已获得国内领先新能源逆变器制造商的批量订单，后续将陆续推出该平台下的系列规格产品。
2022-05-09
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全球首例！国产芯片巨头破冰EDA技术，性能或媲美EUV高端制程芯片
芯片产业分为硬件、软件两个领域，其中以光刻机为核心代表的芯片代工属于硬件领域。负责逻辑芯片设计、集成电路编排的EDA技术，则属于软件领域。如同光刻机对芯片制造的重要性，EDA设计对于集成芯片前期的技术开发十分重要。
2021-11-20
以临港地标命名的“司南科技奖”出炉，“十四五”初步形成全产业链集聚的“东方芯港”
由临港经济发展（集团）有限公司主办、上海临港经济发展集团科技投资有限公司承办的第二届中国（上海）自贸区临港新片区半导体产业发展高峰论坛在临港新片区滴水湖畔举行。
2021-11-20
科技城｜破解中国“芯”难题需立足全球半导体产业生态
半导体（又称芯片）几乎是人工智能、量子计算、物联网等新一代前沿技术，以及农业、制造业、医疗、交通、国防等所有部门实现数字化转型不可或缺的“转换器”，对一个国家在未来数字化革命中的竞争力和国家安全具有至关重要的意义。
2021-11-20
具有 SiC MOSFET 的 10kW 双向双有源桥参考设计
德州仪器 (TI)的 TIDA-010054 参考设计 概述了单相双有源电桥 (DAB) dc-dc 转换器的实现。DAB 拓扑具有软开关换向、减少设备数量和高效率等优点...德州仪器 (TI)的 TIDA-010054 参考设计 概述了单相双有源电桥 (DAB) dc-dc 转换器的实现。DAB 拓扑具有软开关换向、减少设备数量和高效率等优点...德州仪器 (TI)的 TIDA-010054 参考设计 概述了单相双有源电桥 (DAB) dc-dc 转换器的实现。DAB 拓扑具有软开关换向、减少设备数量和高效率等优点...德州仪器 (TI)的 TIDA-010054 参考设计 概述了单相双有源电桥 (DAB) dc-dc 转换器的实现。DAB 拓扑具有软开关换向、减少设备数量和高效率等优点...
2021-11-20
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