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Discrete SiC SBD
具有市面上现有碳化硅二极管的先进特性(无反向恢复时间、耐高温)
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Discrete SiC MOSFETs
清纯半导体的碳化硅MOSFET 具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率及降低对热循环的散热要求。清纯半导体碳化硅MOSFET 取代硅功率器件,能够实现更低的开关和导通损耗,并具有更高的阻断电压和雪崩能力。 主要适用于:光伏逆变、储能、工业电源、新能源汽车、电机驱动、充电桩等领域。
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