清纯半导体

About SICHAIN

清纯半导体拥有国际领先水平的SiC器件设计及工艺研发团队,团队核心从事SiC半导体技术20余年,研发和产业化多代SiC功率器件,包括SiC二极管和MOSFET,并先后通过工业级及车规级测试。

  • SiC JBS
  • SiC MOSFET
  • Power Module
  • Bare Die

SiC JBS

碳化硅肖特基二极管

SiC JBS是一种高效、可靠、耐用、可靠的硅二极管,具有高浪涌、低VF、高速、寄生电容小、零反向恢复、高工作结温等特点。

SiC MOSFET

金属-氧化物半导体场效应晶体管

SiC MOSFET具有高压、低导通电阻、高速、寄生电容小、高工作结温、快速恢复体二极管、开尔文连接驱动等特点。

Power Module

碳化硅功率模块

具有业界领先的导通电阻特性、极佳可靠性水平

Bare Die

碳化硅裸芯

集成了先进的自研SiC MOSFET和SBD,更加贴切客户需求

引领碳化硅(SiC)芯片未来

清纯半导体拥有国际领先水平的SiC器件设计及工艺研发团队,团队核心从事SiC半导体技术20余年,研发和产业化多代SiC功率器件,包括SiC二极管和MOSFET,并先后通过工业级及车规级测试。

  • 500 W+

    累计出货

  • 0 %

    产品失效

  • 70 +

    服务客户